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专利摘要

本实用新型涉及一种利用多单元发光二极管的背光部件,根据本实用新型的一实施例的背光部件包括:基底;以及多个发光二极管封装件,配置于所述基底下面,所述发光二极管封装件包括至少一个发光二极管,所述发光二极管包括:第一导电型半导体层;台面,位于所述第一导电型半导体层上,且包括活性层以及第二导电型半导体层;反射电极结构体,位于所述台面上;电流分散层,覆盖所述台面以及所述第一导电型半导体层,并具有使所述反射电极结构体暴露的第一开口部,且电连接于所述第一导电型半导体层,并与所述反射电极结构体以及台面绝缘;以及上部绝缘层,覆盖所述电流分散层,所述上部绝缘层具备:第二开口部,通过使所述电流分散层暴露而限定第一电极焊盘区域;以及第三开口部,通过使所述被暴露的反射电极结构体的上部区域暴露而限定第二电极焊盘区域。

专利状态

基础信息

专利号
CN201690000752.0
申请日
2016-06-24
公开日
2019-06-18
公开号
CN208990251U
主分类号
/A/A99/ 人类生活必需
标准类别
其他人类生活必须
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态

发明人

宋荣俊 郑井和 金恩柱

申请人

首尔半导体株式会社

申请人地址

韩国京畿道安山市

专利摘要

本实用新型涉及一种利用多单元发光二极管的背光部件,根据本实用新型的一实施例的背光部件包括:基底;以及多个发光二极管封装件,配置于所述基底下面,所述发光二极管封装件包括至少一个发光二极管,所述发光二极管包括:第一导电型半导体层;台面,位于所述第一导电型半导体层上,且包括活性层以及第二导电型半导体层;反射电极结构体,位于所述台面上;电流分散层,覆盖所述台面以及所述第一导电型半导体层,并具有使所述反射电极结构体暴露的第一开口部,且电连接于所述第一导电型半导体层,并与所述反射电极结构体以及台面绝缘;以及上部绝缘层,覆盖所述电流分散层,所述上部绝缘层具备:第二开口部,通过使所述电流分散层暴露而限定第一电极焊盘区域;以及第三开口部,通过使所述被暴露的反射电极结构体的上部区域暴露而限定第二电极焊盘区域。

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