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专利摘要

本发明涉及2.5D孔隙结构微流体芯片及其制作和使用方法,2.5D孔隙结构微流体芯片包括上部图案层和下部水平基片层,所述上部图案层包括流体注入口、微流体芯片主体图案和排液口,所述微流体芯片主体图案包括桥体和多个间隔设置的圆柱区域,相邻的圆柱区域通过桥体连接,圆柱区域高度为30‑50μm,桥体高度为15‑25μm。
本发明2.5D微流体芯片的圆柱区域和桥体错落设置,与传统2D微流体芯片相比,其内部通道是不均匀的,更为贴近真实自然界状况,所得试验数据更有代表性。
本发明提出的2.5D孔隙结构微流体芯片的使用方法操作简便、极易上手且应用灵活,能够大幅缩短试验时间,快速分析出所需结果。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011098551.8
申请日
2020-10-14
公开日
2021-07-20
公开号
CN112275334B
主分类号
/B/B01/ 作业;运输
标准类别
一般的物理或化学的方法或装置
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

胡冉 魏鹳举 廖震 周晨星 郭威 陈旭升 王一凡 武东生 陈益峰

申请人

武汉大学

申请人地址

430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号

专利摘要

本发明涉及2.5D孔隙结构微流体芯片及其制作和使用方法,2.5D孔隙结构微流体芯片包括上部图案层和下部水平基片层,所述上部图案层包括流体注入口、微流体芯片主体图案和排液口,所述微流体芯片主体图案包括桥体和多个间隔设置的圆柱区域,相邻的圆柱区域通过桥体连接,圆柱区域高度为30‑50μm,桥体高度为15‑25μm。
本发明2.5D微流体芯片的圆柱区域和桥体错落设置,与传统2D微流体芯片相比,其内部通道是不均匀的,更为贴近真实自然界状况,所得试验数据更有代表性。
本发明提出的2.5D孔隙结构微流体芯片的使用方法操作简便、极易上手且应用灵活,能够大幅缩短试验时间,快速分析出所需结果。

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