本发明公开一种稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极的制备方法及其产品，制备方法包括以下步骤，取硝酸铥、硝酸镱、铟源和硫源溶于水中，搅拌得到前驱体溶液置于反应釜中，将导电玻璃导电面朝下靠在反应釜中，在170℃～200℃下保温20h～24h，取出、干燥得到所述稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极；本发明通过在硫化铟纳米片薄膜中进行铥离子和镱离子掺杂，显著提高了硫化铟纳米片薄膜光电阳极的光电流密度以及光电化学性能。

胡晓云 李秋洁 苗慧 樊君 刘恩周 成宇飞 王佳伟 张德恺 赵俊峰

西北大学

710127 陕西省西安市长安区郭杜教育科技产业区学府大道1号

本发明公开一种稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极的制备方法及其产品，制备方法包括以下步骤，取硝酸铥、硝酸镱、铟源和硫源溶于水中，搅拌得到前驱体溶液置于反应釜中，将导电玻璃导电面朝下靠在反应釜中，在170℃～200℃下保温20h～24h，取出、干燥得到所述稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极；本发明通过在硫化铟纳米片薄膜中进行铥离子和镱离子掺杂，显著提高了硫化铟纳米片薄膜光电阳极的光电流密度以及光电化学性能。