本发明涉及微加工超声换能器以及相关装置和方法。
制造可以涉及两个单独的晶片接合步骤。
晶片接合可以用于在衬底(302)中制造密封腔(306)。
晶片接合也可用于将衬底(302)接合至另一衬底(304)，例如CMOS晶片。
至少第二晶片接合可以在低温下进行。

乔纳森·M·罗思伯格 苏珊·A·阿列 基思·G·菲费 内华达·J·桑切斯 泰勒·S·拉尔斯顿

蝴蝶网络有限公司

美国康涅狄格州

本发明涉及微加工超声换能器以及相关装置和方法。
制造可以涉及两个单独的晶片接合步骤。
晶片接合可以用于在衬底(302)中制造密封腔(306)。
晶片接合也可用于将衬底(302)接合至另一衬底(304)，例如CMOS晶片。
至少第二晶片接合可以在低温下进行。