本发明涉及多晶硅，其包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有10至40mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于100ppbw的表面金属杂质。
本发明还涉及多晶硅的制造方法，其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块，将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级，及对硅碎块利用压缩空气或干冰进行处理，从而从碎块去除硅尘，其中不对碎块实施湿化学清洁。

R·佩赫 E·多恩贝格尔

瓦克化学股份公司

德国慕尼黑

本发明涉及多晶硅，其包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有10至40mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于100ppbw的表面金属杂质。
本发明还涉及多晶硅的制造方法，其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块，将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级，及对硅碎块利用压缩空气或干冰进行处理，从而从碎块去除硅尘，其中不对碎块实施湿化学清洁。