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专利摘要

一种浸渍型氧化钪掺杂铼钨多相混合基扩散阴极及制备方法,属于难熔金属阴极技术领域。
阴极基体是氧化钪掺杂的铼与钨形成的多相合金粉通过粉末冶金的方法制备而成的多孔体,之后向基体中浸渍活性盐并对阴极表面后处理形成具有电子发射能力的阴极。
该方法所制备的阴极具有发射电流密度大,可重复性好等特点,适用于对电流密度要求较高的电真空器件以及电子束源。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910585566.8
申请日
2019-07-01
公开日
2020-11-20
公开号
CN110303165B
主分类号
/B/B22/ 作业;运输
标准类别
铸造;粉末冶金
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

王金淑 杨韵斐 刘伟 王亦曼 周帆 吴浩 李世磊 张小可 周文元

申请人

北京工业大学

申请人地址

100124 北京市朝阳区平乐园100号

专利摘要

一种浸渍型氧化钪掺杂铼钨多相混合基扩散阴极及制备方法,属于难熔金属阴极技术领域。
阴极基体是氧化钪掺杂的铼与钨形成的多相合金粉通过粉末冶金的方法制备而成的多孔体,之后向基体中浸渍活性盐并对阴极表面后处理形成具有电子发射能力的阴极。
该方法所制备的阴极具有发射电流密度大,可重复性好等特点,适用于对电流密度要求较高的电真空器件以及电子束源。

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