本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法,属于光电子技术领域。
步骤包括:A.第一次清洗干燥,B.第一次光刻,C.第一次刻蚀,D.第二次清洗干燥,E.沉积钝化层,F.第二次光刻,G.第二次刻蚀,H.沉积电极,I.腐蚀,J.退火。
通过增加预刻蚀台阶,在钝化层去除的同时,除去台面侧面的部分接触金属电极,实现侧面电极的部分覆盖,在保证良好的附着接触质量前提下,所制备电极结构满足低的接触非线性结电容和接触电阻;同时,本制备方法简单,电极可靠性高。
王文杰 谢武泽 李舒啸 安宁 李倩 曾建平
中国工程物理研究院电子工程研究所
621999 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法,属于光电子技术领域。
步骤包括:A.第一次清洗干燥,B.第一次光刻,C.第一次刻蚀,D.第二次清洗干燥,E.沉积钝化层,F.第二次光刻,G.第二次刻蚀,H.沉积电极,I.腐蚀,J.退火。
通过增加预刻蚀台阶,在钝化层去除的同时,除去台面侧面的部分接触金属电极,实现侧面电极的部分覆盖,在保证良好的附着接触质量前提下,所制备电极结构满足低的接触非线性结电容和接触电阻;同时,本制备方法简单,电极可靠性高。