本发明公开了一种应变传感器及其制备方法。
该应变传感器包括柔性基底、导电薄膜、第一电极以及第二电极，柔性基底的一侧具有多个凹坑状微结构，导电薄膜位于具有多个凹坑状微结构的柔性基底一侧，导电薄膜背离柔性基底的一侧表面具有与多个凹坑状微结构相同的起伏结构，导电薄膜靠近柔性基底的一侧表面具有与多个凹坑状微结构相应的凸起结构，第一电极和第二电极均设置于导电薄膜背离柔性基底的一侧，且第一电极和第二电极分别设置于导电薄膜的相对两端。
本发明实施例提供的应变传感器既具有较宽的检测范围，又具有较高的灵敏度。

方英 李红变 史济东 吕苏叶

国家纳米科学中心

100190 北京市海淀区中关村北一条11号

本发明公开了一种应变传感器及其制备方法。
该应变传感器包括柔性基底、导电薄膜、第一电极以及第二电极，柔性基底的一侧具有多个凹坑状微结构，导电薄膜位于具有多个凹坑状微结构的柔性基底一侧，导电薄膜背离柔性基底的一侧表面具有与多个凹坑状微结构相同的起伏结构，导电薄膜靠近柔性基底的一侧表面具有与多个凹坑状微结构相应的凸起结构，第一电极和第二电极均设置于导电薄膜背离柔性基底的一侧，且第一电极和第二电极分别设置于导电薄膜的相对两端。
本发明实施例提供的应变传感器既具有较宽的检测范围，又具有较高的灵敏度。