本发明公开了一种耐高温碳化硅压力传感器及其制备方法，该传感器利用4H‑SiC体型引线部分代替金属电路的新型结构，在N型高掺杂外延层刻蚀出4H‑SiC体型引线，4H‑SiC体型引线和金属焊盘之间通过欧姆接触区实现电连接，取代了金属焊盘和4H‑SiC压敏电阻条之间的全金属电路连接，有效提高了传感器电路连接的高温稳定性，并为进一步的直接键合提供了均质的4H‑SiC接触面。

赵玉龙 王鲁康 赵友 龚涛波

西安交通大学

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

本发明公开了一种耐高温碳化硅压力传感器及其制备方法，该传感器利用4H‑SiC体型引线部分代替金属电路的新型结构，在N型高掺杂外延层刻蚀出4H‑SiC体型引线，4H‑SiC体型引线和金属焊盘之间通过欧姆接触区实现电连接，取代了金属焊盘和4H‑SiC压敏电阻条之间的全金属电路连接，有效提高了传感器电路连接的高温稳定性，并为进一步的直接键合提供了均质的4H‑SiC接触面。