本发明实施例提供一种用于使用牺牲层上平坦表面来将互补金属氧化物半导体CMOS装置与微机电系统MEMS装置集成的方法。
在一些实施例中，形成覆盖半导体衬底的后段工艺BEOL互连结构，其中所述BEOL互连结构包含第一介电区域。
使牺牲层形成于所述第一介电区域上方且形成覆盖所述牺牲层及所述第一介电区域的第二介电区域。
使平坦化执行到所述第二介电区域的上表面中以平坦化所述上表面。
使MEMS结构形成于所述第二介电区域的所述平坦上表面上。
使空腔蚀刻穿过所述MEMS结构执行到所述牺牲层中以移除所述牺牲层且形成替代所述牺牲层的空腔。
本发明实施例还提供一种由所述方法产生的集成电路IC。
本发明实施例提供的方法可以实现短封装时间及低封装复杂性。

郑钧文 朱家骅

台湾积体电路制造股份有限公司

中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号

本发明实施例提供一种用于使用牺牲层上平坦表面来将互补金属氧化物半导体CMOS装置与微机电系统MEMS装置集成的方法。
在一些实施例中，形成覆盖半导体衬底的后段工艺BEOL互连结构，其中所述BEOL互连结构包含第一介电区域。
使牺牲层形成于所述第一介电区域上方且形成覆盖所述牺牲层及所述第一介电区域的第二介电区域。
使平坦化执行到所述第二介电区域的上表面中以平坦化所述上表面。
使MEMS结构形成于所述第二介电区域的所述平坦上表面上。
使空腔蚀刻穿过所述MEMS结构执行到所述牺牲层中以移除所述牺牲层且形成替代所述牺牲层的空腔。
本发明实施例还提供一种由所述方法产生的集成电路IC。
本发明实施例提供的方法可以实现短封装时间及低封装复杂性。