本发明公开一种硅片膜层腐蚀剩余厚度的监控方法，包括：在硅片的边缘部分预定义监控图形区域；在监控图形区域内对硅片的正面光刻、刻蚀深度为D1的第一观察槽以及深度为D2的第二观察槽，D1为硅片膜层腐蚀剩余厚度的上限值，D2为硅片膜层腐蚀剩余厚度的下限值；在监控图形区域内在硅片的正面与背面分别生长厚度为D3的二氧化硅层；S4、在监控图形区域内对硅片的背面光刻、刻蚀二氧化硅层形成深度为D3的第三观察槽；从硅片的背面进行各向异性腐蚀，第三观察槽跟随硅片一同被腐蚀；通过光学显微镜由第三观察槽作为观察窗口，观察第一观察槽与第二观察槽的图形可视化情况，判断硅片膜层腐蚀剩余厚度是否满足目标要求。

陈璞 何凯旋 陈博 王鹏 黄斌

华东光电集成器件研究所

233030 安徽省蚌埠市经济开发区汤和路2016号

本发明公开一种硅片膜层腐蚀剩余厚度的监控方法，包括：在硅片的边缘部分预定义监控图形区域；在监控图形区域内对硅片的正面光刻、刻蚀深度为D1的第一观察槽以及深度为D2的第二观察槽，D1为硅片膜层腐蚀剩余厚度的上限值，D2为硅片膜层腐蚀剩余厚度的下限值；在监控图形区域内在硅片的正面与背面分别生长厚度为D3的二氧化硅层；S4、在监控图形区域内对硅片的背面光刻、刻蚀二氧化硅层形成深度为D3的第三观察槽；从硅片的背面进行各向异性腐蚀，第三观察槽跟随硅片一同被腐蚀；通过光学显微镜由第三观察槽作为观察窗口，观察第一观察槽与第二观察槽的图形可视化情况，判断硅片膜层腐蚀剩余厚度是否满足目标要求。