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专利摘要

本发明提供了一种图案化二氧化硅纳米结构的合成方法及其应用,所述方法包括:向具有延伸链的DNA折纸结构中加入硅烷试剂,所述硅烷试剂通过静电作用吸附于DNA折纸结构的延伸链上,得到图案化二氧化硅纳米结构。
本发明利用DNA折纸结构的可寻址性,在DNA折纸结构的表面预设位点延伸出DNA单链或双链阵列,硅烷试剂在碱性条件下水解形成正电性二氧化硅纳米颗粒,通过静电作用吸附在DNA折纸结构的负电性延伸链上,实现了二氧化硅纳米微粒在DNA折纸结构的预设位点上的固定,制备得到图案化二氧化硅纳米结构。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010127700.2
申请日
2020-02-28
公开日
2020-06-19
公开号
CN111302349A
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

丁宝全 李娜 尚颖旭

申请人

国家纳米科学中心

申请人地址

100190 北京市海淀区中关村北一条11号

专利摘要

本发明提供了一种图案化二氧化硅纳米结构的合成方法及其应用,所述方法包括:向具有延伸链的DNA折纸结构中加入硅烷试剂,所述硅烷试剂通过静电作用吸附于DNA折纸结构的延伸链上,得到图案化二氧化硅纳米结构。
本发明利用DNA折纸结构的可寻址性,在DNA折纸结构的表面预设位点延伸出DNA单链或双链阵列,硅烷试剂在碱性条件下水解形成正电性二氧化硅纳米颗粒,通过静电作用吸附在DNA折纸结构的负电性延伸链上,实现了二氧化硅纳米微粒在DNA折纸结构的预设位点上的固定,制备得到图案化二氧化硅纳米结构。

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