本发明公开一种无定形锗基纳米线的制备方法,以CaGe2作为锗源分散于去离子水中,或加入有机溶剂乙腈或DMF作为混合溶剂,在室温下快速搅拌反应。
然后离心,取上层液体分别用甲醇(或异丙醇)、去离子水洗涤三次后,80℃下在真空干燥箱中干燥,得到水化的Ca5Ge2O9纳米线,再经退火即可得到无定形的Ca5Ge2O9纳米线。
本发明不同于传统的化学气相沉积,模板法、分子束外延、电子束蒸发,其合成温度低,工艺简单,成本低廉。
封伟 赵付来 王宇 张鑫 李瑀 冯奕钰
天津大学
300072 天津市南开区卫津路92号
本发明公开一种无定形锗基纳米线的制备方法,以CaGe2作为锗源分散于去离子水中,或加入有机溶剂乙腈或DMF作为混合溶剂,在室温下快速搅拌反应。
然后离心,取上层液体分别用甲醇(或异丙醇)、去离子水洗涤三次后,80℃下在真空干燥箱中干燥,得到水化的Ca5Ge2O9纳米线,再经退火即可得到无定形的Ca5Ge2O9纳米线。
本发明不同于传统的化学气相沉积,模板法、分子束外延、电子束蒸发,其合成温度低,工艺简单,成本低廉。