本发明公开了一种砷锗镉晶体生长原料的稳流合成方法。
把高纯度的Cd、Ge和As原料放入船型坩埚内，再放入半椭圆形的坩埚内，推入带有稳流装置的长型外坩埚内，抽真空进行密封后放入三温区合成炉中进行合成，使装As原料的坩埚处于炉体第一温区部位，稳流装置处于第二温区部位，装Cd原料和Ge原料的坩埚处于第三温区部位。
本方法通过三温区合成炉精确控制Cd、Ge和As原料反应温度，降低合成过程中的多余中间产物，并通过稳流装置，控制反应速度，保证了合成的安全性，有效调节合成原料化学计量比。

霍晓青 徐永宽 程红娟 刘禹岑 高彦昭

中国电子科技集团公司第四十六研究所

300220 天津市河西区洞庭路26号

本发明公开了一种砷锗镉晶体生长原料的稳流合成方法。
把高纯度的Cd、Ge和As原料放入船型坩埚内，再放入半椭圆形的坩埚内，推入带有稳流装置的长型外坩埚内，抽真空进行密封后放入三温区合成炉中进行合成，使装As原料的坩埚处于炉体第一温区部位，稳流装置处于第二温区部位，装Cd原料和Ge原料的坩埚处于第三温区部位。
本方法通过三温区合成炉精确控制Cd、Ge和As原料反应温度，降低合成过程中的多余中间产物，并通过稳流装置，控制反应速度，保证了合成的安全性，有效调节合成原料化学计量比。