本发明涉及固体导体、其制备方法、包括固体导体的固体电解质和包括固体导体的电化学装置。
固体导体，包括：由式1表示的化合物、由式2表示的化合物、或其组合，其中，在式1和2中，M为具有+4的氧化值的元素，Q为具有+4的氧化值的元素，X为卤素、拟卤素、或其组合，和0≤x≤2，0≤y<1，且0≤z≤2，除了以下情况之外：i)x和y和z同时为0，ii)M为Hf，X为F，x为1，y为0，且z为1，iii)M为Hf，X为Cl，x为2，y为0，且z为2，和iv)M为Hf，X为F，x为2，y为0，且z为2。
式1Li

金呤希 郑成均 曹正柱 L.米拉 S.帕特尔 王琰 胡彦彦 权赫祚 金世元 金柱植

三星电子株式会社 弗罗里达州大学研究基金会(有限)公司

韩国京畿道

本发明涉及固体导体、其制备方法、包括固体导体的固体电解质和包括固体导体的电化学装置。
固体导体，包括：由式1表示的化合物、由式2表示的化合物、或其组合，其中，在式1和2中，M为具有+4的氧化值的元素，Q为具有+4的氧化值的元素，X为卤素、拟卤素、或其组合，和0≤x≤2，0≤y<1，且0≤z≤2，除了以下情况之外：i)x和y和z同时为0，ii)M为Hf，X为F，x为1，y为0，且z为1，iii)M为Hf，X为Cl，x为2，y为0，且z为2，和iv)M为Hf，X为F，x为2，y为0，且z为2。
式1Li