一种具有受晶格对称性保护零能隙的自旋零能隙半导体材料及制备方法 下载此专利PDF版本

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专利摘要

本发明涉及一种具有受晶格对称性保护零能隙的自旋零能隙半导体材料及制备方法；材料结构为d

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 审查中-实审

基础信息

专利号
CN201911381213.2
申请日
2019-12-27
公开日
2020-05-08
公开号
CN111115588A
主分类号
/C/C01/ 化学；冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

王立英 王悦

申请人

天津大学

申请人地址

300072 天津市南开区卫津路92号天津大学

专利摘要

本发明涉及一种具有受晶格对称性保护零能隙的自旋零能隙半导体材料及制备方法；材料结构为d

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