本发明提供了一种光子带隙可调型聚乙烯亚胺功能化光子晶体薄膜的制备。
首先配置一定浓度的聚乙烯亚胺水溶液，并滴涂在聚合物光子晶体薄膜上，鼓风并且在30～40℃下烘干后得到聚乙烯亚胺功能化聚合物光子晶体薄膜。
然后通过改变聚乙烯亚胺滴涂的层数，线性调节聚乙烯亚胺功能化聚合物光子晶体薄膜的光子带隙。
得到光子带隙可调型聚乙烯亚胺功能化光子晶体薄膜。
本发明所制备的光子晶体薄膜衍射峰对应的最短波长为505～510 nm,衍射峰对应的最长波长为555～560 nm。
通过改变聚乙烯亚胺滴涂层数，其光子带隙可在2.2～2.4 eV之间连续调节。
本发明所制备的光子晶体薄膜在pH 1.0～pH 10.0、30 min连续紫外光照射、1 nM～1 M离子浓度、25℃～50℃温度条件下，衍射峰位置基本保持不变。

孟磊 徐娜 刘众虎 兰承武

吉林化工学院

132022 吉林省吉林市承德街45号

本发明提供了一种光子带隙可调型聚乙烯亚胺功能化光子晶体薄膜的制备。
首先配置一定浓度的聚乙烯亚胺水溶液，并滴涂在聚合物光子晶体薄膜上，鼓风并且在30～40℃下烘干后得到聚乙烯亚胺功能化聚合物光子晶体薄膜。
然后通过改变聚乙烯亚胺滴涂的层数，线性调节聚乙烯亚胺功能化聚合物光子晶体薄膜的光子带隙。
得到光子带隙可调型聚乙烯亚胺功能化光子晶体薄膜。
本发明所制备的光子晶体薄膜衍射峰对应的最短波长为505～510 nm,衍射峰对应的最长波长为555～560 nm。
通过改变聚乙烯亚胺滴涂层数，其光子带隙可在2.2～2.4 eV之间连续调节。
本发明所制备的光子晶体薄膜在pH 1.0～pH 10.0、30 min连续紫外光照射、1 nM～1 M离子浓度、25℃～50℃温度条件下，衍射峰位置基本保持不变。