目录

专利摘要

本发明公开了一种抛光液及其制备方法和应用,以质量百分含量计,抛光液由以下组分组成:无机碱性化合物1~20%,添加剂0.1~1%,余量为去离子水;添加剂由以下组分组成:异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.01~0.5%,烷基多糖苷0.5~5%,余量为去离子水;制备方法:1)按照添加剂中各组分的质量占比称取各组分,然后将各组分相混合,即得添加剂;2)按照抛光液中各组分的质量占比称取各原料,先将无机碱性化合物加入去离子水中,然后再与步骤(1)制备的添加剂相混合,即得抛光液;应用:抛光液在金刚线切割多晶硅片后抛光过程中的应用;本发明的抛光液具有使被处理后的多晶硅减薄量极少,还能间接地提升光电转化率。

专利状态

基础信息

专利号
CN201711103154.3
申请日
2017-11-10
公开日
2018-04-20
公开号
CN107936849A
主分类号
/C/C09/ 化学;冶金
标准类别
染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-公开

发明人

金炳生 高小云 刘兵

申请人

苏州晶瑞化学股份有限公司

申请人地址

215214 江苏省苏州市吴中经济开发区澄湖东路3号

专利摘要

本发明公开了一种抛光液及其制备方法和应用,以质量百分含量计,抛光液由以下组分组成:无机碱性化合物1~20%,添加剂0.1~1%,余量为去离子水;添加剂由以下组分组成:异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.01~0.5%,烷基多糖苷0.5~5%,余量为去离子水;制备方法:1)按照添加剂中各组分的质量占比称取各组分,然后将各组分相混合,即得添加剂;2)按照抛光液中各组分的质量占比称取各原料,先将无机碱性化合物加入去离子水中,然后再与步骤(1)制备的添加剂相混合,即得抛光液;应用:抛光液在金刚线切割多晶硅片后抛光过程中的应用;本发明的抛光液具有使被处理后的多晶硅减薄量极少,还能间接地提升光电转化率。

相似专利技术

无相关信息