本申请的目的在于提供能够防止半导体芯片背面、基板表面、散热器表面被填料局部性破坏的情形的膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法。
特征在于：含有环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)、苯氧基树脂(C)、导热性填充材料(D)，上述导热性填充材料(D)的平均粒径为0.1～10.0μm，在微小压缩试验中的破坏时压缩率为试样的平均粒径的5～50％，在微小压缩试验中的破坏强度为0.01～2.0GPa，导热率为30W/m·K以上，(D)的含量相对于上述(A)～(D)的总量为10～70体积％，热固化后导热率为1.0W/m·K以上。

森田稔 切替德之

古河电气工业株式会社

日本国东京都

本申请的目的在于提供能够防止半导体芯片背面、基板表面、散热器表面被填料局部性破坏的情形的膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法。
特征在于：含有环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)、苯氧基树脂(C)、导热性填充材料(D)，上述导热性填充材料(D)的平均粒径为0.1～10.0μm，在微小压缩试验中的破坏时压缩率为试样的平均粒径的5～50％，在微小压缩试验中的破坏强度为0.01～2.0GPa，导热率为30W/m·K以上，(D)的含量相对于上述(A)～(D)的总量为10～70体积％，热固化后导热率为1.0W/m·K以上。