本发明涉及一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，属于光学防伪材料技术领域。
本发明光学防伪材料的化学通式为Bi3‑xEuxO4M；其中x=0.001~0.3，M为元素F、Cl、Br的一种或多种。
本发明提供的稀土Eu离子掺杂的卤氧化铋半导材料中的Eu3+发光特征对激发光波长、强度、温度具有超敏感的响应特性，且物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料成本低；该材料有望作为高敏感光学防伪材料、紫外探测器，温度传感器器，光伏铁电材料，光机械材料传感材料到应用。

宋志国 胡锐 李永进 张庆福 邱建备 杨正文 徐祖元 张相周 周大成 尹兆益 杨勇 韩缙

昆明理工大学

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

本发明涉及一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，属于光学防伪材料技术领域。
本发明光学防伪材料的化学通式为Bi3‑xEuxO4M；其中x=0.001~0.3，M为元素F、Cl、Br的一种或多种。
本发明提供的稀土Eu离子掺杂的卤氧化铋半导材料中的Eu3+发光特征对激发光波长、强度、温度具有超敏感的响应特性，且物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料成本低；该材料有望作为高敏感光学防伪材料、紫外探测器，温度传感器器，光伏铁电材料，光机械材料传感材料到应用。