根据本发明，可以提供一种去除半导体元件表面上的光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有低介电常数膜(Low‑k膜)和包含10原子％以上的钨的材料，所述清洗液包含碱土金属化合物0.001～5质量％、无机碱和/或有机碱0.1～30质量％、以及水。

尾家俊行 岛田宪司

三菱瓦斯化学株式会社

日本东京都

根据本发明，可以提供一种去除半导体元件表面上的光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有低介电常数膜(Low‑k膜)和包含10原子％以上的钨的材料，所述清洗液包含碱土金属化合物0.001～5质量％、无机碱和/或有机碱0.1～30质量％、以及水。