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专利摘要

本发明涉及半导体工业用清洗剂领域,尤其涉及一种去胶液及其制备方法与应用。
该去胶液包括醇胺化合物、无机碱、水溶性有机溶剂、海藻糖、苯并三唑、渗透剂和水,上述去胶液配方合理,不易挥发,能完全去除光刻胶且不会腐蚀半导体基材。
其制备方法包括:依次称取上述配方量的各原料组分,利用气动隔膜泵传送到反应釜中,经过定时循环搅拌使各原料组分混合均匀,采用精密过滤器过滤后即得,经检验合格后利用精密自动灌装机进行灌装。
该制备方法全程自动化,不会引入杂质和污染,将其用于去除半导体基材上的光刻胶及其残留物,能达到很好的去除效果,不会对半导体基材产生腐蚀。

专利状态

基础信息

专利号
CN201810958228.X
申请日
2018-08-22
公开日
2021-02-05
公开号
CN109097201B
主分类号
/C/C11/ 化学;冶金
标准类别
动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡;由此制取的脂肪酸;洗涤剂;蜡烛
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

舒军

申请人

江西宝盛半导体能源科技有限公司

申请人地址

330600 江西省宜春市靖安县香田乡工业园新区28号

专利摘要

本发明涉及半导体工业用清洗剂领域,尤其涉及一种去胶液及其制备方法与应用。
该去胶液包括醇胺化合物、无机碱、水溶性有机溶剂、海藻糖、苯并三唑、渗透剂和水,上述去胶液配方合理,不易挥发,能完全去除光刻胶且不会腐蚀半导体基材。
其制备方法包括:依次称取上述配方量的各原料组分,利用气动隔膜泵传送到反应釜中,经过定时循环搅拌使各原料组分混合均匀,采用精密过滤器过滤后即得,经检验合格后利用精密自动灌装机进行灌装。
该制备方法全程自动化,不会引入杂质和污染,将其用于去除半导体基材上的光刻胶及其残留物,能达到很好的去除效果,不会对半导体基材产生腐蚀。

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