本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种氮化镓量子阱的外延生长方法；包括以下步骤：预热处理、低温成核、退火处理、形成GaN薄膜、形成非掺杂GaN缓冲层、形成n型氮化镓层、形成In

尹宝堂 王子懿 林丰旭 单娟 田露

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本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种氮化镓量子阱的外延生长方法；包括以下步骤：预热处理、低温成核、退火处理、形成GaN薄膜、形成非掺杂GaN缓冲层、形成n型氮化镓层、形成In