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专利摘要

本发明提供了一种高通量薄膜材料芯片的分立掩膜高精度对准系统,用于解决现有技术中高通量薄膜制备系统中,掩膜与基片距离大、距离控制精度低、掩膜不可重复利用、生产效率低下、沉积膜组分不可控、膜阴影范围大的技术问题;包括:载体、基片、载体驱动装置、掩膜和定位球;实施本发明的技术方案,利用硅的各向异性加工出第一凹槽、第二凹槽,结合氮化硅定位球,实现掩膜与基片的高精度距离控制,从而将基片与掩膜的距离控制在较低范围,膜阴影范围小;设置可旋转的掩膜台以及掩膜旋转机构,系统可提供多种沉积方案,实现沉积膜组分的精准控制,提高系统的生产效率;设置多个第二凹槽,掩膜可以适用多种类型基片,降低系统成本。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910905251.7
申请日
2019-09-24
公开日
2019-12-24
公开号
CN110607498A
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

吕文来 陈飞 张金仓

申请人

上海大学

申请人地址

200444 上海市宝山区上大路99号

专利摘要

本发明提供了一种高通量薄膜材料芯片的分立掩膜高精度对准系统,用于解决现有技术中高通量薄膜制备系统中,掩膜与基片距离大、距离控制精度低、掩膜不可重复利用、生产效率低下、沉积膜组分不可控、膜阴影范围大的技术问题;包括:载体、基片、载体驱动装置、掩膜和定位球;实施本发明的技术方案,利用硅的各向异性加工出第一凹槽、第二凹槽,结合氮化硅定位球,实现掩膜与基片的高精度距离控制,从而将基片与掩膜的距离控制在较低范围,膜阴影范围小;设置可旋转的掩膜台以及掩膜旋转机构,系统可提供多种沉积方案,实现沉积膜组分的精准控制,提高系统的生产效率;设置多个第二凹槽,掩膜可以适用多种类型基片,降低系统成本。

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