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专利摘要

本发明涉及一种Fe/C60颗粒薄膜霍尔器件材料及其制备方法。
该新型霍尔器件材料为纳米金属Fe颗粒随机分布于有机半导体C60母体中构成的Fe/C60复合薄膜,薄膜采用共蒸发的方法制备,制备过程中通过调控Fe和C60蒸发源的输入电流来改变Fe和C60的体积比,通过改变沉积时间来调控颗粒薄膜的厚度。
该方法制备出的Fe/C60颗粒薄膜具有很高的反常霍尔电阻率和反常霍尔系数,反常霍尔电阻率的温度稳定性好。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910369713.8
申请日
2019-04-30
公开日
2019-08-16
公开号
CN110129736A
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

程雅慧 郑灵程 刘晖

申请人

南开大学

申请人地址

300071 天津市南开区卫津路94号南开大学

专利摘要

本发明涉及一种Fe/C60颗粒薄膜霍尔器件材料及其制备方法。
该新型霍尔器件材料为纳米金属Fe颗粒随机分布于有机半导体C60母体中构成的Fe/C60复合薄膜,薄膜采用共蒸发的方法制备,制备过程中通过调控Fe和C60蒸发源的输入电流来改变Fe和C60的体积比,通过改变沉积时间来调控颗粒薄膜的厚度。
该方法制备出的Fe/C60颗粒薄膜具有很高的反常霍尔电阻率和反常霍尔系数,反常霍尔电阻率的温度稳定性好。

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