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专利摘要

本发明涉及高熵合金纳米材料领域,提供一种高熵合金纳米框架以及高熵合金纳米框架‑二氧化锰复合超级电容电极及其制备方法,包括首先制备Fe‑Cr‑Co‑Mn‑Ni‑Al高熵合金铸锭,作为化学刻蚀法前驱体;再将合金置于硫酸溶液中进行化学刻蚀处理制备单相高熵合金纳米框架材料;最后在高锰酸钾溶液中利用脉冲电沉积法在高熵合金纳米框架结构上沉积二氧化锰,制得复合超级电容电极材料。
综合高熵合金纳米框架的高导电性、高活性、大比表面积和二氧化锰的性能,可提高二氧化锰氧化物在存储器、超级电容器等方面的使用效率。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910689664.6
申请日
2019-07-29
公开日
2019-10-29
公开号
CN110391092A
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

淡振华 韩飘飘 曾冬梅

申请人

南京工业大学

申请人地址

210009 江苏省南京市鼓楼区新模范马路5号

专利摘要

本发明涉及高熵合金纳米材料领域,提供一种高熵合金纳米框架以及高熵合金纳米框架‑二氧化锰复合超级电容电极及其制备方法,包括首先制备Fe‑Cr‑Co‑Mn‑Ni‑Al高熵合金铸锭,作为化学刻蚀法前驱体;再将合金置于硫酸溶液中进行化学刻蚀处理制备单相高熵合金纳米框架材料;最后在高锰酸钾溶液中利用脉冲电沉积法在高熵合金纳米框架结构上沉积二氧化锰,制得复合超级电容电极材料。
综合高熵合金纳米框架的高导电性、高活性、大比表面积和二氧化锰的性能,可提高二氧化锰氧化物在存储器、超级电容器等方面的使用效率。

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