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专利摘要

本发明公开了一种印制电路板OSP微蚀前处理液及微蚀方法,该印制电路板OSP微蚀前处理液包括以下浓度组份的原料:铜离子络合剂5~15g/L、双氧水稳定剂2~8g/L、双氧水活化促进剂0.5~1.5g/L、缓蚀剂0.2~0.55g/L及阳离子表面活性剂3~6mL/L、添加剂复配液pH=8±1.0。
本发明的有益效果为:本发明提供的印制电路板OSP微蚀前处理液具有铜面光亮洁净、蚀刻速率均匀且保持在0.8~1.2μm/min范围内、微蚀液稳定等优点。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011281331.9
申请日
2020-11-16
公开日
2021-02-09
公开号
CN112351593A
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

许国军 杨荣华 卢意鹏 齐文茂 刘高飞 许香林 吴运会

申请人

珠海联鼎化工设备有限公司

申请人地址

519050 广东省珠海市临港工业区南水化工专区

专利摘要

本发明公开了一种印制电路板OSP微蚀前处理液及微蚀方法,该印制电路板OSP微蚀前处理液包括以下浓度组份的原料:铜离子络合剂5~15g/L、双氧水稳定剂2~8g/L、双氧水活化促进剂0.5~1.5g/L、缓蚀剂0.2~0.55g/L及阳离子表面活性剂3~6mL/L、添加剂复配液pH=8±1.0。
本发明的有益效果为:本发明提供的印制电路板OSP微蚀前处理液具有铜面光亮洁净、蚀刻速率均匀且保持在0.8~1.2μm/min范围内、微蚀液稳定等优点。

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