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专利摘要

本发明公开了一种制备4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺,包括底板,所述底板的顶部固定安装有电解液调配组件,所述电解液调配组件的右侧设置有升降装置,所述升降装置的表面固定安装有电源,所述升降装置的底部设置有夹持组件,所述夹持组件的表面设置有负极板和正极板。
本发明所述的4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺具有沉积电流密度大,沉积效率高,制备周期短,电解液循环利用,成本低廉,环境友好和易于产业化等优点,可有效应用于硫酸盐体系电沉积制备4N(99.99%)精铟,为5N,6N和7N高纯铟的制备和应用提供原材料,通过设置的升降装置和夹持组件,使其在制备完成后,能够方便将正极板和负极板取下。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011127816.2
申请日
2020-10-20
公开日
2021-02-09
公开号
CN112342573A
主分类号
/C/C25/ 化学;冶金
标准类别
电解或电泳工艺;其所用设备
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

王瑞林 王刚 陈金伟 姜春萍 张洁 徐朔

申请人

四川大学

申请人地址

610065 四川省成都市一环路南一段24号四川大学望江校区

专利摘要

本发明公开了一种制备4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺,包括底板,所述底板的顶部固定安装有电解液调配组件,所述电解液调配组件的右侧设置有升降装置,所述升降装置的表面固定安装有电源,所述升降装置的底部设置有夹持组件,所述夹持组件的表面设置有负极板和正极板。
本发明所述的4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺具有沉积电流密度大,沉积效率高,制备周期短,电解液循环利用,成本低廉,环境友好和易于产业化等优点,可有效应用于硫酸盐体系电沉积制备4N(99.99%)精铟,为5N,6N和7N高纯铟的制备和应用提供原材料,通过设置的升降装置和夹持组件,使其在制备完成后,能够方便将正极板和负极板取下。

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