本发明提供了一种平行排列制备发光多孔硅的方法，包括以下步骤：1)超声清洗硅片；2)制得腐蚀液2；3)取多个铂电极7，每个铂电极7由铂片9和铂丝6组成，在每两个铂电极7之间放置P型单晶硅片8，然后用夹板5‑1、夹板5‑2和螺栓3、螺母4将其固定4)将固定好的硅片放入容器1中，加入腐蚀液2；5)按照从左往右的次序，奇数铂丝6连接到电源的正极，偶数铂丝6连接到电源的负极，通入正弦电流‑X～YmA，X和Y的值在10～400之间，正弦电流周期为5～30s；6)清洗反应后的硅片，得到双面多孔硅硅片。
本发明解决了一次电化学阳极腐蚀实验只能制备一个多孔硅硅片的问题，实现了一次腐蚀制备多个双面多孔硅硅片。

汪舰 王童 胡保付 徐坚 刘丙国 杜保立

河南理工大学

454000 河南省焦作市高新区世纪大道2001号河南理工大学

本发明提供了一种平行排列制备发光多孔硅的方法，包括以下步骤：1)超声清洗硅片；2)制得腐蚀液2；3)取多个铂电极7，每个铂电极7由铂片9和铂丝6组成，在每两个铂电极7之间放置P型单晶硅片8，然后用夹板5‑1、夹板5‑2和螺栓3、螺母4将其固定4)将固定好的硅片放入容器1中，加入腐蚀液2；5)按照从左往右的次序，奇数铂丝6连接到电源的正极，偶数铂丝6连接到电源的负极，通入正弦电流‑X～YmA，X和Y的值在10～400之间，正弦电流周期为5～30s；6)清洗反应后的硅片，得到双面多孔硅硅片。
本发明解决了一次电化学阳极腐蚀实验只能制备一个多孔硅硅片的问题，实现了一次腐蚀制备多个双面多孔硅硅片。