本发明公开的一种SiC单晶等离子体电化学抛光装置，包括机床台，机床台表面固接电解液箱、脉冲电源和电极组，电极组包括不锈钢电极和SiC单晶电极，不锈钢电极安装在可旋转的电极架上，待处理的SiC单晶电极安装在可旋转的夹持器上，电解液箱通过导管将水基电解液输送到不锈钢电极表面，脉冲电源通过导线连接不锈钢电极和SiC单晶电极。
本发明还公开了该抛光装置的抛光方法。
本发明公开的抛光装置，解决了现有抛光技术中SiC单晶易产生表面与亚表面损伤，抛光效率低的问题，装置结构简单，容易操作。

李淑娟 尹新城 李志鹏 赵智渊 贾祯 蒋百铃

西安理工大学

710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号

本发明公开的一种SiC单晶等离子体电化学抛光装置，包括机床台，机床台表面固接电解液箱、脉冲电源和电极组，电极组包括不锈钢电极和SiC单晶电极，不锈钢电极安装在可旋转的电极架上，待处理的SiC单晶电极安装在可旋转的夹持器上，电解液箱通过导管将水基电解液输送到不锈钢电极表面，脉冲电源通过导线连接不锈钢电极和SiC单晶电极。
本发明还公开了该抛光装置的抛光方法。
本发明公开的抛光装置，解决了现有抛光技术中SiC单晶易产生表面与亚表面损伤，抛光效率低的问题，装置结构简单，容易操作。