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专利摘要

本发明提供了一种金属薄膜退镀方法及系统,其中方法包括步骤S00根据压印有全息图光栅微结构的金属薄膜的参数设置电解液的参数;步骤S10将所述压印有全息图光栅微结构的金属薄膜放置于有所述电解液的电解电场中进行退镀;步骤S20在预设条件下,将所述压印有全息图光栅微结构的金属薄膜的无光栅微结构区域退镀成透明状态。
系统包括退镀装置;所述退镀装置包括电解液水槽、电极、直流电源。
本发明通过将压印有全息图光栅微结构的金属薄膜放置于有电解液的电解电场中,实现精准选择性退镀的目的。

专利状态

基础信息

专利号
CN201711459900.2
申请日
2017-12-28
公开日
2021-02-02
公开号
CN108103566B
主分类号
/C/C25/ 化学;冶金
标准类别
电解或电泳工艺;其所用设备
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

桑建新 董耀宗 胡立伟

申请人

上海冠众光学科技有限公司 苏州印象镭射科技有限公司

申请人地址

201400 上海市奉贤区南桥镇运河北路1185号

专利摘要

本发明提供了一种金属薄膜退镀方法及系统,其中方法包括步骤S00根据压印有全息图光栅微结构的金属薄膜的参数设置电解液的参数;步骤S10将所述压印有全息图光栅微结构的金属薄膜放置于有所述电解液的电解电场中进行退镀;步骤S20在预设条件下,将所述压印有全息图光栅微结构的金属薄膜的无光栅微结构区域退镀成透明状态。
系统包括退镀装置;所述退镀装置包括电解液水槽、电极、直流电源。
本发明通过将压印有全息图光栅微结构的金属薄膜放置于有电解液的电解电场中,实现精准选择性退镀的目的。

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