本发明涉及一种4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法及应用，属于光电催化技术领域。
本发明4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法包括如下步骤：S1、清洗4H‑SiC单晶片；S2、以清洗后的4H‑SiC单晶片作为阳极，石墨片作为阴极，在刻蚀液中进行阳极氧化刻蚀，所述阳极氧化刻蚀依次包括去帽层刻蚀和连续周期刻蚀，制得光阳极半成品；S3、对光阳极半成品进行清洗、干燥，即制得4H‑SiC一体化自支撑光阳极。
本发明的自支撑光阳极具有极低的光解水起始电位和较高的水分解光电流密度。

陈善亮 徐尚 王霖 高凤梅 杨为佑

宁波工程学院

315016 浙江省宁波市海曙区翠柏路89号

本发明涉及一种4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法及应用，属于光电催化技术领域。
本发明4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法包括如下步骤：S1、清洗4H‑SiC单晶片；S2、以清洗后的4H‑SiC单晶片作为阳极，石墨片作为阴极，在刻蚀液中进行阳极氧化刻蚀，所述阳极氧化刻蚀依次包括去帽层刻蚀和连续周期刻蚀，制得光阳极半成品；S3、对光阳极半成品进行清洗、干燥，即制得4H‑SiC一体化自支撑光阳极。
本发明的自支撑光阳极具有极低的光解水起始电位和较高的水分解光电流密度。