本发明公开了一种基于多孔硅的硅基叉指电极及其制造方法，所述硅基叉指电极包括硅衬底、多孔硅层、金微带叉指电极、氧化硅层以及输入/输出接口，所述多孔硅层位于所述硅衬底的上方，且所述多孔硅层与所述金微带叉指电极形态相匹配；所述氧化硅层位于所述多孔硅层和所述金微带叉指电极之间，所述金微带叉指电极的两端设有输入/输出接口。
本发明中通过采用普通低电阻P型硅为衬底，可以有效降低器件制备成本，此外，所制备的多孔硅结构可以显著的提高器件的表面粗糙度和面表比，从而提高电极的电学性能；同时还降低了制造成本。

钟福如 杨艳军 黄成强

遵义师范学院

563006 贵州省遵义市新蒲新区（红花岗区新蒲街道）平安大道中段

本发明公开了一种基于多孔硅的硅基叉指电极及其制造方法，所述硅基叉指电极包括硅衬底、多孔硅层、金微带叉指电极、氧化硅层以及输入/输出接口，所述多孔硅层位于所述硅衬底的上方，且所述多孔硅层与所述金微带叉指电极形态相匹配；所述氧化硅层位于所述多孔硅层和所述金微带叉指电极之间，所述金微带叉指电极的两端设有输入/输出接口。
本发明中通过采用普通低电阻P型硅为衬底，可以有效降低器件制备成本，此外，所制备的多孔硅结构可以显著的提高器件的表面粗糙度和面表比，从而提高电极的电学性能；同时还降低了制造成本。