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晶体生长
  
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专利名称
专利号
申请日期
专利状态
1 非线性光学晶体及其制备方法 CN201610260863.1 2016-04-25 审查中-实审
2 一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计 CN201610145164.2 2016-03-15 暂失效-视为撤回
3 掺杂铋的半绝缘第III族氮化物晶片和其制造方法 CN201380048113.2 2013-02-28 授权
4 一种RbZn CN201610965409.6 2016-11-04 审查中-实审
5 GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的方法和微型晶体生长炉 CN201310687332.7 2013-12-16 有效专利
6 一种激光辅助III-V族晶体生长装置及方法 CN201610139215.0 2016-03-12 授权
7 用于制造第III族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚 CN201510849405.7 2015-11-27 授权
8 一种诱导钙钛矿晶体生长的光学系统及应用 CN201810512521.3 2018-05-25 审查中-实审
9 一种具有陷光结构的钙钛矿单晶及其制备方法 CN201910959359.4 2019-10-10 审查中-实审
10 基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法 CN201810568142.6 2018-06-05 审查中-实审
11 一种晶体生长槽 CN201920245416.8 2019-02-27 有效专利
12 制备药物组合物的方法 CN201880051931.0 2018-08-10 审查中-实审
13 一种硫酸钙晶须生产用离心脱水机滤网结构 CN201920539266.1 2019-04-19 授权
14 波长转换构件、光源、照明装置及波长转换构件的制造方法 CN201880053482.3 2018-08-07 审查中-实审
15 一种电刺激诱导制备单晶的方法 CN202010043960.1 2020-01-15 审查中-实审
16 一种硫酸钙晶须反应釜排料管用清理装置 CN201921087556.3 2019-07-12 有效专利
17 一种单晶硅生产炉体 CN202010110439.5 2020-02-24 审查中-实审
18 一种高纯粉体连续纯化装置 CN202021472818.0 2020-07-23 有效专利
19 一种加料筒 CN202011165206.1 2020-10-27 审查中-实审
20 一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体 CN201910674058.7 2019-07-25 发明公开
21 接着后晶棒接着力测试用晶棒夹持装置 CN202020598936.X 2020-04-20 有效专利
22 一种高纯硼晶体和高纯硼粉的制备装置 CN202011200531.7 2020-10-30 发明公开
23 一种石英晶体生产用电子枪钼片 CN202021169909.7 2020-06-22 有效专利
24 一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法 CN202011136290.4 2020-10-22 审查中-实审
25 一种单晶硅生产用石墨加热装置及其加热方法 CN202011290040.6 2020-11-18 发明公开
26 一种硒化锌靶材及其制备方法 CN202010952896.9 2020-09-11 发明公开
27 利用一步法快速制备高质量反蛋白石结构光子晶体的方法 CN201510623027.0 2015-09-25 授权
28 一种大面积无缺陷二维胶体单晶、其制备方法及其转移方法 CN201310740566.3 2013-12-27 授权
29 形成光子晶体材料的方法 CN201080039842.8 2010-07-07 有效专利
30 一种蚕丝蛋白一维光子晶体的制备方法 CN201710821013.9 2017-09-13 发明公开