本发明公开了一种自校正的IGBT健康监测方法，其包括以下步骤：S1、建立老化数据采集平台；S2、建立原始老化特征数据库；S3、获取目标IGBT在工作环境中的初始状态；S4、获取集电极与发射极间的电压差值；S5、生成校正参数函数；S6、校正原始老化特征数据库；S7、通过将目标IGBT的集电极与发射极间的电压与校正后的老化特征数据库中同工作条件下的集电极与发射极间的电压进行比较，完成IGBT的健康监测。
本发明考虑了IGBT个体差异对于Vce,on测量值分析产生的影响，建立了具有校正补偿性的参数函数模型，提高了电力电子系统中对于IGBT参数分析的准确性，减小了由于个体差异引起误差提供了监测精度。

伍伟 古湧乾 陈勇

电子科技大学

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

本发明公开了一种自校正的IGBT健康监测方法，其包括以下步骤：S1、建立老化数据采集平台；S2、建立原始老化特征数据库；S3、获取目标IGBT在工作环境中的初始状态；S4、获取集电极与发射极间的电压差值；S5、生成校正参数函数；S6、校正原始老化特征数据库；S7、通过将目标IGBT的集电极与发射极间的电压与校正后的老化特征数据库中同工作条件下的集电极与发射极间的电压进行比较，完成IGBT的健康监测。
本发明考虑了IGBT个体差异对于Vce,on测量值分析产生的影响，建立了具有校正补偿性的参数函数模型，提高了电力电子系统中对于IGBT参数分析的准确性，减小了由于个体差异引起误差提供了监测精度。