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专利摘要

本发明公开的用于光电器件的制冷系统包括制冷装置和多个光电器件,第一至N个制冷模块从上至下依次放置在一起,第一个制冷模块包括第一晶粒阵列和热沉,第一晶粒阵列通过设置于热沉下表面的铜电极阵列,固定设置于热沉的下表面,第一晶粒阵列与热沉一体成型,第一晶粒阵列的分布状态与设置于铜电极阵列的分布状态一致,第二个制冷模块包括第一陶瓷基片、第二晶粒阵列,以此类推,第N个制冷模块包括第N‑1陶瓷基片、第N晶粒阵列、第N陶瓷基片,其中,第N晶粒阵列固定设置于第N‑1陶瓷基片与第N陶瓷基片之间,提高了制冷装置的制冷效果、稳定性及适用性。
另外,本发明还公开了一种制作用于光电器件的制冷装置的方法。

专利状态

基础信息

专利号
CN202110409768.4
申请日
2021-04-16
公开日
2021-07-27
公开号
CN112993066B
主分类号
/H/H01/ 电学
标准类别
基本电气元件
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

陈柳平 张建 付仁清 金燕 万相奎

申请人

国开启科量子技术(北京)有限公司

申请人地址

100193 北京市海淀区西北旺东路10号院中关村软件园互联网创新中心C区一层108室

专利摘要

本发明公开的用于光电器件的制冷系统包括制冷装置和多个光电器件,第一至N个制冷模块从上至下依次放置在一起,第一个制冷模块包括第一晶粒阵列和热沉,第一晶粒阵列通过设置于热沉下表面的铜电极阵列,固定设置于热沉的下表面,第一晶粒阵列与热沉一体成型,第一晶粒阵列的分布状态与设置于铜电极阵列的分布状态一致,第二个制冷模块包括第一陶瓷基片、第二晶粒阵列,以此类推,第N个制冷模块包括第N‑1陶瓷基片、第N晶粒阵列、第N陶瓷基片,其中,第N晶粒阵列固定设置于第N‑1陶瓷基片与第N陶瓷基片之间,提高了制冷装置的制冷效果、稳定性及适用性。
另外,本发明还公开了一种制作用于光电器件的制冷装置的方法。

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