薄膜电阻和薄膜传感器 下载此专利PDF版本

CN201880026319.8

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专利摘要

本发明涉及一种薄膜电阻（2）以及一种具有薄膜电阻（2）的薄膜传感器（1）。
薄膜电阻（2）具有压阻层（3），其中所述压阻层（3）具有M

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 有效专利

基础信息

专利号
CN201880026319.8
申请日
2018-04-12
公开日
2021-07-16
公开号
CN110520943B
主分类号
/H/H01/ 电学
标准类别
基本电气元件
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

B.米尔克 B.奥施特里克

申请人

TDK电子股份有限公司

申请人地址

德国慕尼黑

专利摘要

本发明涉及一种薄膜电阻（2）以及一种具有薄膜电阻（2）的薄膜传感器（1）。
薄膜电阻（2）具有压阻层（3），其中所述压阻层（3）具有M

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