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专利摘要

本发明涉及一种钡铁氧体陶瓷材料及其制备方法。
该制备方法包括:1)将钡前驱体溶液和铁前驱体溶液混合,之后加入沉淀剂得到沉淀物;2)将沉淀物在400‑450℃下煅烧;3)将沉淀物在800‑850℃下煅烧;4)将沉淀物研磨,将研磨后的所述沉淀物在1250‑1300℃及氧气气氛下煅烧;5)所述沉淀物在氧气气氛及700‑820℃下退火处理得到所述钡铁氧体陶瓷材料。
本发明还包括上述制备方法制备得到的钡铁氧体陶瓷材料。
本发明还包括上述制备方法制备得到的钡铁氧体陶瓷材料。
该钡铁氧体陶瓷材料为M型钡铁氧体陶瓷材料,该材料显示出了内禀的多铁性,且在室温下有较强铁电与铁磁性和磁电耦合效应。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011179690.3
申请日
2020-10-29
公开日
2021-07-27
公开号
CN112374878B
主分类号
/H/H01/ 电学
标准类别
基本电气元件
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

谭国龙

申请人

武汉理工大学

申请人地址

430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

专利摘要

本发明涉及一种钡铁氧体陶瓷材料及其制备方法。
该制备方法包括:1)将钡前驱体溶液和铁前驱体溶液混合,之后加入沉淀剂得到沉淀物;2)将沉淀物在400‑450℃下煅烧;3)将沉淀物在800‑850℃下煅烧;4)将沉淀物研磨,将研磨后的所述沉淀物在1250‑1300℃及氧气气氛下煅烧;5)所述沉淀物在氧气气氛及700‑820℃下退火处理得到所述钡铁氧体陶瓷材料。
本发明还包括上述制备方法制备得到的钡铁氧体陶瓷材料。
本发明还包括上述制备方法制备得到的钡铁氧体陶瓷材料。
该钡铁氧体陶瓷材料为M型钡铁氧体陶瓷材料,该材料显示出了内禀的多铁性,且在室温下有较强铁电与铁磁性和磁电耦合效应。

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