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专利摘要

本发明公开了一种离子束刻蚀用双层挡板,设置在位于离子源与晶圆之间的刻蚀反应腔体内,用于阻挡离子源射向晶圆的离子束;双层挡板包括平行并列设置且能同步转动的前挡板和后挡板,其中,前挡板邻近离子源的栅格网,后挡板邻近晶圆;前挡板和后挡板的面积均大于格栅网的面积;前挡板上设置有若干个贯通的溅射网孔。
前挡板上溅射网孔的Z向纵截面为长条形、圆形、正方形、三角形、椭圆形、多边形或同心环形中的一种或组合。
本发明采用两层挡板的设计,能减少所有可能会溅射进离子源内部的导电材料,保护了离子源不受伤害。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910322647.9
申请日
2019-04-22
公开日
2019-07-23
公开号
CN110047724A
主分类号
/H/H01/ 电学
标准类别
基本电气元件
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

李娜 胡冬冬 车东晨 陈兆超 侯永刚 程实然 王铖熠 许开东

申请人

江苏鲁汶仪器有限公司

申请人地址

221300 江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号

专利摘要

本发明公开了一种离子束刻蚀用双层挡板,设置在位于离子源与晶圆之间的刻蚀反应腔体内,用于阻挡离子源射向晶圆的离子束;双层挡板包括平行并列设置且能同步转动的前挡板和后挡板,其中,前挡板邻近离子源的栅格网,后挡板邻近晶圆;前挡板和后挡板的面积均大于格栅网的面积;前挡板上设置有若干个贯通的溅射网孔。
前挡板上溅射网孔的Z向纵截面为长条形、圆形、正方形、三角形、椭圆形、多边形或同心环形中的一种或组合。
本发明采用两层挡板的设计,能减少所有可能会溅射进离子源内部的导电材料,保护了离子源不受伤害。

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