目录

专利摘要

本发明公开了一种通电离子源挡板,包括金属挡板、高压电源、配重块和挡板旋转驱动装置;金属挡板同轴设置在离子源和晶圆之间的蚀刻腔体内,金属挡板面积大于离子源的离子束出口面积;金属挡板和高压电源电连接,金属挡板表面具有正电荷;配重块设置在金属挡板底部,邻近配重块的金属挡板与挡板旋转驱动装置相连接,并在挡板旋转驱动装置的驱动作用下,进行旋转转动;离子源包括射频、加速电场和中和器。
本发明不仅可以阻挡不必要的离子束流对晶圆的损坏,而且使得挡板不受离子束的轰击产生不必要的颗粒,污染真空环境,使其更换周期极大限度的延长。
同时,挡板材料可以使用普通金属,极大的降低了成本。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910299448.0
申请日
2019-04-15
公开日
2019-06-28
公开号
CN109950121A
主分类号
/H/H01/ 电学
标准类别
基本电气元件
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

刘海洋 邱勇 刘小波 李娜 程实然 王铖熠 胡冬冬 许开东

申请人

江苏鲁汶仪器有限公司

申请人地址

221300 江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号

专利摘要

本发明公开了一种通电离子源挡板,包括金属挡板、高压电源、配重块和挡板旋转驱动装置;金属挡板同轴设置在离子源和晶圆之间的蚀刻腔体内,金属挡板面积大于离子源的离子束出口面积;金属挡板和高压电源电连接,金属挡板表面具有正电荷;配重块设置在金属挡板底部,邻近配重块的金属挡板与挡板旋转驱动装置相连接,并在挡板旋转驱动装置的驱动作用下,进行旋转转动;离子源包括射频、加速电场和中和器。
本发明不仅可以阻挡不必要的离子束流对晶圆的损坏,而且使得挡板不受离子束的轰击产生不必要的颗粒,污染真空环境,使其更换周期极大限度的延长。
同时,挡板材料可以使用普通金属,极大的降低了成本。

相似专利技术

无相关信息