本发明公开了一种提升磷化铟中锌掺杂浓度的方法，属于半导体材料技术领域。
一种提升磷化铟中锌掺杂浓度的方法，包括在完成锌扩散的磷化铟表面生长ZnSe层，之后进行退火处理，并除去ZnSe层。
本发明设置的ZnSe层，在退火处理过程中，阻碍了Zn

黄辉廉 黄珊珊 张小宾 黄彦泽 杨文奕

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本发明公开了一种提升磷化铟中锌掺杂浓度的方法，属于半导体材料技术领域。
一种提升磷化铟中锌掺杂浓度的方法，包括在完成锌扩散的磷化铟表面生长ZnSe层，之后进行退火处理，并除去ZnSe层。
本发明设置的ZnSe层，在退火处理过程中，阻碍了Zn