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专利摘要

本发明公开了一种N型高效异质结太阳能电池及制备方法,所述N型高效太阳能电池为使用N型硅片制成的N型高效异质结太阳能电池;所述制备方法为先对N型硅片进行吸杂处理,再完成异质结太阳能电池的常规制作;所述吸杂处理包括如下步骤:(1)清洗硅片;(2)硅片正面和背面涂覆或沉积一层吸杂源;(3)将涂覆或沉积有吸杂源的硅片通过链式退火炉进行热处理完成吸杂,在硅片表面形成一层吸杂层;(4)腐蚀去除硅片表面的吸杂层。
本发明降低了硅片体内的金属杂质含量,提高了硅片的少子寿命,最终提高了电池的转换效率;使得电池效率分布更集中,提高了产品一致性;降低了电池边缘漏电率,提高了电池良率。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011573231.3
申请日
2020-12-28
公开日
2021-07-27
公开号
CN112289895B
主分类号
/H/H01/ 电学
标准类别
基本电气元件
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

任常瑞 张佳舟 绪欣 符黎明

申请人

常州时创能源股份有限公司

申请人地址

213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号

专利摘要

本发明公开了一种N型高效异质结太阳能电池及制备方法,所述N型高效太阳能电池为使用N型硅片制成的N型高效异质结太阳能电池;所述制备方法为先对N型硅片进行吸杂处理,再完成异质结太阳能电池的常规制作;所述吸杂处理包括如下步骤:(1)清洗硅片;(2)硅片正面和背面涂覆或沉积一层吸杂源;(3)将涂覆或沉积有吸杂源的硅片通过链式退火炉进行热处理完成吸杂,在硅片表面形成一层吸杂层;(4)腐蚀去除硅片表面的吸杂层。
本发明降低了硅片体内的金属杂质含量,提高了硅片的少子寿命,最终提高了电池的转换效率;使得电池效率分布更集中,提高了产品一致性;降低了电池边缘漏电率,提高了电池良率。

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