本发明公开了一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构,包括热熔材料,设置于芯片本体的周围;DBC模块,所述DBC模块设置于所述热熔材料的下方,与所述芯片本体焊接;底板,所述底板通过焊接设置于所述DBC模块下方。
本发明的有益效果:芯片源极通过键合方式实现连接,不需要更换芯片或者增加芯片工艺;对芯片栅极位置无要求,可不改变DBC及芯片布局设计;芯片周围热容材料在芯片短路时吸收热量可迅速通过DBC的陶瓷向下传导,保证芯片具有较低的温度;方式灵活,可在芯片焊接以外的面积增加热容材料,提升芯片短路能力;结构原有键合设备可满足工艺要求。
许海东 谌娟
南京晟芯半导体有限公司
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本发明公开了一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构,包括热熔材料,设置于芯片本体的周围;DBC模块,所述DBC模块设置于所述热熔材料的下方,与所述芯片本体焊接;底板,所述底板通过焊接设置于所述DBC模块下方。
本发明的有益效果:芯片源极通过键合方式实现连接,不需要更换芯片或者增加芯片工艺;对芯片栅极位置无要求,可不改变DBC及芯片布局设计;芯片周围热容材料在芯片短路时吸收热量可迅速通过DBC的陶瓷向下传导,保证芯片具有较低的温度;方式灵活,可在芯片焊接以外的面积增加热容材料,提升芯片短路能力;结构原有键合设备可满足工艺要求。