目录

专利摘要

本发明实施例提供了一种基于受激放大相干Smith‑Purcell辐射的太赫兹辐射器,包括:电子发射源,用于发射电子束;泵浦源,用于发射泵浦信号,泵浦信号与一级光栅结构进行相互作用得到初步群聚电子;初步群聚电子与一级光栅结构进行相互作用产生相干Smith‑Purcell辐射;与泵浦信号在一级谐振腔结构内垂直谐振,使得电子群聚密度增大,进而使得相干Smith‑Purcell辐射增强;自由电子和相干Smith‑Purcell辐射形成正反馈过程,得到受激放大的相干Smith‑Purcell辐射和周期性群聚电子团。
本发明实施例提供的太赫兹辐射器可以在小电流和大束斑的条件下实现受激放大现象。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010591435.3
申请日
2020-06-24
公开日
2021-07-27
公开号
CN111799640B
主分类号
/H/H01/ 电学
标准类别
基本电气元件
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

刘仿 林月钗 李津宇 黄翊东 崔开宇 冯雪 张巍

申请人

清华大学

申请人地址

100084 北京市海淀区双清路30号清华大学

专利摘要

本发明实施例提供了一种基于受激放大相干Smith‑Purcell辐射的太赫兹辐射器,包括:电子发射源,用于发射电子束;泵浦源,用于发射泵浦信号,泵浦信号与一级光栅结构进行相互作用得到初步群聚电子;初步群聚电子与一级光栅结构进行相互作用产生相干Smith‑Purcell辐射;与泵浦信号在一级谐振腔结构内垂直谐振,使得电子群聚密度增大,进而使得相干Smith‑Purcell辐射增强;自由电子和相干Smith‑Purcell辐射形成正反馈过程,得到受激放大的相干Smith‑Purcell辐射和周期性群聚电子团。
本发明实施例提供的太赫兹辐射器可以在小电流和大束斑的条件下实现受激放大现象。

相似专利技术

无相关信息