本发明公开了一种高性能的柔性垂直腔面发射激光器芯片及其制作方法，包括下电极、下电极接触层、下布拉格反射镜层、有源区、氧化限制层、上布拉格反射镜层、上电极接触层、上电极和反射绝缘层；其中，所述下电极、下电极接触层、下布拉格反射镜层、有源区、氧化限制层、上布拉格反射镜层、上电极接触层、上电极按照从下往上的顺序依次叠加，构成一个激光器芯片主体，所述反射绝缘层制作在该激光器芯片主体的侧面，在起绝缘作用的同时兼具反射作用，以减少光的侧向发散。
本发明在提高激光器芯片性能的同时，减小了激光器芯片的厚度进而提升芯片的封装密度，同时芯片具有一定的柔性，能满足一些特定应用环境的形变要求。

杨文奕 何键华 黄嘉敬 杜伟 胡丹

中山德华芯片技术有限公司

528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层

本发明公开了一种高性能的柔性垂直腔面发射激光器芯片及其制作方法，包括下电极、下电极接触层、下布拉格反射镜层、有源区、氧化限制层、上布拉格反射镜层、上电极接触层、上电极和反射绝缘层；其中，所述下电极、下电极接触层、下布拉格反射镜层、有源区、氧化限制层、上布拉格反射镜层、上电极接触层、上电极按照从下往上的顺序依次叠加，构成一个激光器芯片主体，所述反射绝缘层制作在该激光器芯片主体的侧面，在起绝缘作用的同时兼具反射作用，以减少光的侧向发散。
本发明在提高激光器芯片性能的同时，减小了激光器芯片的厚度进而提升芯片的封装密度，同时芯片具有一定的柔性，能满足一些特定应用环境的形变要求。