一种新型封装结构的功率模块

专利主权项内容

1.一种新型封装结构的功率模块，其特征在于，所述功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、所述第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管以及所述二极管封装在所述底座内部；所述第一直流侧端子、所述第二直流侧端子、所述交流侧端子、所述第一驱动端子以及所述第二驱动端子设置在所述底座的上表面；所述第一直流侧端子与所述第二直流侧端子位于同一轴线上；所述第一直流侧端子与所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管的漏极连接；所述第二直流侧端子与第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管的源极连接；所述交流侧端子与所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管的源极以及第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管的漏极连接；所述第一驱动端子与所述第二驱动端子位于同一轴线上；所述第一驱动端子与所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管的栅源极连接；所述第二驱动端子与所述第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管的栅源极连接；所述第一直流侧端子与所述第二直流侧端子距离为0.5mm；所述第一驱动端子以及所述第二驱动端子均包括两个插簧端子；所述第一驱动端子以及所述第二驱动端子外接驱动电路。