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一种快恢复二极管及其制作方法
摘要文本
本发明提供一种快恢复二极管及其制作方法，所述二极管包括含有有源区(5)和具有间隔的终端保护环(7)的衬底N‑层(2)，所述衬底N‑层(2)的正面和背面分别有氧化层(3)和缓冲层(4)，再于所述氧化层(3)敷设有BPSG层(8)，所述有源区(5)设有金属电极(9)，所述有源区(5)周边设有电阻区(6)；所述制作方法包括：1)初始氧化；2)形成背面缓冲层；3)形成离子注入窗口；4)PN结形成；5)BPSG淀积；6)引线孔形成；7)金属电极淀积；8)形成表面钝化层；本发明方法制备的快恢复二极管，改善了反向恢复过程中电流的不均匀性，避免电流集边现象，缓解局部动态雪崩增强，提高了其抗动态雪崩能力。
申请人信息
- 申请人:国网智能电网研究院; 国家电网公司
- 申请人地址:102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)
- 发明人: 国网智能电网研究院; 国家电网公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种快恢复二极管及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201510674227.9 |
| 申请日 | 2015年10月16日 |
| 公告号 | CN106601826B |
| 公开日 | 2024年3月15日 |
| IPC主分类号 | H01L29/868 |
| 权利人 | 国网智能电网研究院; 国家电网公司 |
| 发明人 | 曹功勋; 刘钺杨; 吴迪; 何延强; 董少华; 金锐 |
| 地址 | 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城); 北京市西城区西长安街86号 |
专利主权项内容
1.一种快恢复二极管，所述二极管包括含有有源区(5)和具有间隔的终端保护环(7)的衬底N-层(2)，所述衬底N-层(2)的正面和背面分别有氧化层(3)和缓冲层(4)，其特征在于，再于所述氧化层(3)的表面敷设有BPSG层(8)，所述有源区(5)设有金属电极(9)，所述有源区(5)周边设有电阻区(6)；所述电阻区离子注入窗口暴露部分的电阻区，且以有源区离子注入窗口为中心呈对称分布；所述电阻区离子注入窗口的形状为同心矩形环、同心圆环、方孔、圆孔或菱形孔；所述电阻区(6)离子注入窗口中的BPSG形成多道环形结构围绕所述金属电极(9)；所述氧化层(3)的厚度为8000-20000 Å，所述背面缓冲层(4)的厚度为1-120μm；所述BPSG层(8)的厚度为10000-30000 Å；所述有源区(5)和终端保护环(7)的离子掺杂浓度为1e15-1e18，所述电阻区(6)的离子掺杂浓度为1e14-1e17。