减反膜及其制备方法、阵列基板、显示装置

专利主权项内容

1.一种减反膜，包含镂空交叉设置的多条水平减反膜与竖直减反膜，其特征在于，包括薄膜本体，所述薄膜本体包括经过图案化处理而得到的光路控制结构；其中，所述减反膜设于衬底基板上，且所述衬底基板位于所述减反膜与空气之间，所述光路控制结构被配置为使入射光线在所述衬底基板与空气的界面上发生全反射；所述薄膜本体包括第一薄膜和第二薄膜构成的多层结构，所述第二薄膜设于所述第一薄膜背离所述衬底基板的一侧；所述光路控制结构包括由所述第一薄膜经过图案化处理而得到的凸部以及由所述第二薄膜经过图案化处理而得到的凹部，且所述凸部的凸出面与所述凹部的凹陷面相互贴合；其中，在衬底基板上形成薄膜本体，并对所述薄膜本体进行图案化处理以得到光路控制结构包括：在所述衬底基板上形成第一薄膜，并对所述第一薄膜进行图案化处理，以得到呈凸部的第一薄膜结构；在所述第一薄膜结构上形成第二薄膜，并对所述第二薄膜进行图案化处理，以得到呈凹部的第二薄膜结构；所述对所述第一薄膜进行图案化处理包括：在所述第一薄膜上方形成第一光刻胶，通过连续半曝光掩模工艺对所述第一光刻胶进行曝光和显影，再对所述第一光刻胶下方的所述第一薄膜进行刻蚀，以得到呈凸部的第一薄膜结构；所述对所述第二薄膜进行图案化处理包括：在所述第二薄膜上方形成第二光刻胶，通过连续半曝光掩模工艺对所述第二光刻胶进行曝光和显影，再对所述第二光刻胶下方的所述第二薄膜进行刻蚀，以得到呈凹部的第二薄膜结构；其中，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶中的一个为正性光刻胶、另一个为负性光刻胶；平坦层，所述平坦层覆盖在所述薄膜本体的所述光路控制结构背离所述衬底基板的一侧；其中，所述薄膜本体包括第三薄膜构成的结构，所述光路控制结构包括由所述第三薄膜经过图案化处理而得到的纳米管结构，所述第三薄膜包括非晶硅薄膜。