一种快速恢复二极管及其制造方法
摘要文本
本发明提供一种快速恢复二极管及其制造方法，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；所述制造方法包括：1)初始氧化；2)形成有源区和分压环；3)形成PN结；4)多晶生长：5)寿命控制；6)多晶场板；7)形成阳极金属电极并表面钝化；8)形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag阴极金属电极。本发明制造方法利用多晶实现激光退火终端保护，避免激光退火导致终端受损以致耐压失效。。来源：百度马 克 数据网
申请人信息
- 申请人:国网智能电网研究院; 国网上海市电力公司; 国家电网公司
- 申请人地址:102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)
- 发明人: 国网智能电网研究院; 国网上海市电力公司; 国家电网公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种快速恢复二极管及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201510638966.2 |
| 申请日 | 2015年9月30日 |
| 公告号 | CN106558624B |
| 公开日 | 2024年3月19日 |
| IPC主分类号 | H01L29/861 |
| 权利人 | 国网智能电网研究院; 国网上海市电力公司; 国家电网公司 |
| 发明人 | 吴迪; 刘钺杨; 何延强; 董少华; 曹功勋; 刘江; 金锐; 温家良 |
| 地址 | 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城); 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区源深路1122号; 北京市西城区西长安街86号 |
专利主权项内容
1.一种快速恢复二极管的制造方法，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，其特征在于，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；所述氧化层(2)的厚度为所述多晶层(5)的材料为硅，厚度为所述深能级掺杂区(4)的掺杂杂质为金、铂或钯；其特征在于，该方法包括如下步骤：1)初始氧化：对均匀掺杂清洗N型硅衬底，高温氧化所述衬底于表面生成氧化层，在硅片表面生长氧化层(2)，厚度2)形成有源区和分压环：涂胶、曝光、显影、刻蚀和去胶形成有源区和终端区窗口；3)形成PN结：生长氧化层掩蔽层，注入硼，剂量为1e13-1e15，于1200℃氮气下推结5～25um；4)多晶生长：淀积多晶厚度为利用POCl或注入磷进行掺杂：35)寿命控制：光刻，刻蚀多晶，暴露有源区窗口，注入或溅射深能级杂质，并激光退火进行推结；6)多晶场板：再次光刻，刻蚀多晶，实现终端场板结构；7)阳极金属电极：蒸发或者溅射Al，光刻，刻蚀，去胶，合金，形成表面金属淀积，进行表面钝化；8)阴极金属电极：形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag背面金属电极。