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一种功率器件的高耐压封装子模组
摘要文本
本发明公开了一种功率器件的高耐压封装子模组，所述封装子模组包括构件和框架；所述构件包括从上至下设置的上钼片、硅芯片、下钼片和银片；所述框架包括内框架和外框架；所述外框架为内侧设有凸台的筒状耐压框。本发明通过增加芯片的筒状耐压框的方式，使芯片发射极和集电极之间的爬电距离大大增加，模组的耐压能力得到了提高，器件的耐压等级也就可以做的更高，另外芯片用来通电流的面积相对增大，功率器件在不增大体积的前提下通流能力也相应增大，整体的可使用容量增加。。
申请人信息
- 申请人:国网智能电网研究院; 国家电网公司
- 申请人地址:102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)
- 发明人: 国网智能电网研究院; 国家电网公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种功率器件的高耐压封装子模组 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201510981202.3 |
| 申请日 | 2015年12月23日 |
| 公告号 | CN105448850B |
| 公开日 | 2024年2月2日 |
| IPC主分类号 | H01L23/12 |
| 权利人 | 国网智能电网研究院; 国家电网公司 |
| 发明人 | 刘文广; 温家良 |
| 地址 | 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城); 北京市西城区西长安街86号 |
专利主权项内容
百度搜索马 克 数 据 网 1.一种功率器件的高耐压封装子模组，所述封装子模组包括构件和框架；所述构件包括从上至下设置的上钼片、硅芯片、下钼片和银片；所述框架包括内框架和外框架；所述外框架为内侧设有凸台的筒状耐压框；所述耐压框与所述硅芯片在与其它部分组装前已做成一体；所述筒状耐压框直接浇注于所述硅芯片上，通过筒状耐压框上端内侧的凸台连接；所述凸台分别设于所述筒状耐压框上下两端的内侧，所述筒状耐压框的下端凸台处与所述内框架相连；将所述筒状耐压框从上往下装配时其下端会发生弹性变形并外扩，当其装配到底时其下端收缩，通过弹性压力将各部分组合到一起；所述芯片上不加工耐压环。